Gate (transistor)
Gate (norsk: grind[1], port, styre[2]) er en eller flere terminaler som kontrollerer elektriske strøm i en transistor av felteffekttype, og er typisk skapt ved å lage et elektrisk felt som forbinder to dopede brønner.[3] Terminalen kontrollerer strømmen som går fra source (norsk: kilde[2][1]) og til drain (norsk: dren[1], sluk[2], utløp) ved å skape en tunnel av frie elektroner mellom disse terminalene. De fysiske egenskapene til source og drain er ofte identiske, de er begge dopet med atomer som har tilsvarende egenskaper, selv om de ikke trenger være det. Det er også vanlig med en fjerde terminal som gjerne omtales som body, base, bulk, eller substrate. Denne er nødvendig for å etablere en referansespenning for transistoren, og ikke minst operasjon av gate er avhengig av denne.
Transistorer med source, gate, og drain er som oftest felteffekttransistorer (FET, JFET, MOSFET). Dette er imidlertid ikke entydig, og benevnelsene brukes også ofte om terminaler på integrerte kretser.[2] Tilsvarende terminaler på bipolare transistorer (bipolar junction transistors, BJT) blir omtalt som emitter, base, og collector hvor base tilsvarer gate. Det finnes en egen type bipolare transistorer som har en gate, disse kalles insulated-gate bipolar transistor (IGBT). Tilsvarende for radiorør er katode, gitter, og anode, hvor gitter tilsvarer gate. Radiorør har ofte flere gitter.
Referanser[rediger | rediger kilde]
- ^ a b c Ordbok for elektronikk: med definisjoner og termer på norsk og engelsk. [Oslo]: Rådet for teknisk terminologi. 1998. s. 68, 123, 156,. ISBN 8275660378.
- ^ a b c d Simonsen, Leif (1936-) (1982). Grunnbok i integrerte kretser. [Oslo]: Universitetsforl. s. 210. ISBN 8200279308.
- ^ Schröder, John (1970). Elektronikk. Oslo: Teknologisk forlag. s. 419–420.
Litteratur[rediger | rediger kilde]
- Halvlederteknikk: halvlederfysikk, fremstillingsteknikk, halvleder-kretsteknikk. Oslo: Teknologisk Forlag. 1977. s. 50–64. ISBN 8251201403.