Static Random Access Memory (SRAM)

Fra Wikipedia, den frie encyklopedi
Gå til: navigasjon, søk
Oppbygningen av en SRAM-celle

Static Random Access Memory (SRAM) er en form for halvlederminne og har en annen oppbygning enn DRAM, og trenger ikke å bli frisket opp kontinuerlig. Bitcellene holder på bitverdien så lenge det er strøm til stede (statisk). SRAM er mye raskere enn DRAM og brukes derfor til hurtigminne.

Ulempen med SRAM er at den tar større plass og er dyrere å konstruere enn DRAM. Fire transistorer går med til hver bitcelle. Bruksområdene er omtrent like som DRAM bare ikke like mye laget pga. kostnader og størrelse, men også andre steder enn DRAM slik som i hurtigminne.